Renesas Electronics America Inc. 70V659S10DRG
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70V659S10DRG
2038-70V659S10DRG
存储器
208-BFQFP
大陆
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
1最小包装量--
70V659S10DRG详情
Renesas Electronics America Inc. 70V659S10DRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-BFQFP
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
3.15V~3.45V
内存大小
4.5Mb 128K x 36
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
70V659S10DRG拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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