Renesas Electronics America Inc. 70V659S12DRGI8
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70V659S12DRGI8
2038-70V659S12DRGI8
存储器
208-BFQFP
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
1最小包装量--
70V659S12DRGI8详情
Renesas Electronics America Inc. 70V659S12DRGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-BFQFP
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
3.15V~3.45V
基本部件号
IDT70V659
内存大小
4.5Mb 128K x 36
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
70V659S12DRGI8拓展信息
Renesas Electronics America
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