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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.162652
10
¥22.794952
100
¥21.504672
500
¥20.287428
1000
¥19.139083
Renesas Electronics America Inc. 71016S12YG
- 收藏
- 对比
71016S12YG
2038-71016S12YG
存储器
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
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IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
--最小包装量--
¥
总价: ¥
71016S12YG详情
Renesas Electronics America Inc. 71016S12YG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
基本部件号
IDT71016
内存大小
1Mb 64K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
71016S12YG拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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