Renesas Electronics America Inc. 71V416S10BE
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71V416S10BE
2038-71V416S10BE
存储器
48-TFBGA
大陆
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IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
1最小包装量--
71V416S10BE详情
Renesas Electronics America Inc. 71V416S10BE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
供应商器件包装
48-CABGA (9x9)
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
4 (72 Hours)
电压 - 供电
3V~3.6V
基本部件号
IDT71V416
内存大小
4Mb 256K x 16
访问时间
10ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
71V416S10BE拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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