Renesas Electronics America Inc. HFA3046BZ
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HFA3046BZ
2038-HFA3046BZ
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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RENESAS - HFA3046BZ - Bipolar Transistor Array, NPN, 12 V, 150 mW, 34 mA, 40 hFE, SOIC
--最小包装量--
HFA3046BZ详情
Renesas Electronics America Inc. HFA3046BZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
9 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
65mA
Number of Elements
5
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
HFA3046
引脚数量
14
JESD-30代码
R-PDSO-G14
极性
NPN
配置
COMPLEX
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
5 NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 10mA 2V
JEDEC-95代码
MS-012AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
转换频率
8000MHz
频率转换
8GHz
最高频段
超高频B型
噪音数字(分贝类型@ f)
3.5dB @ 1GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
HFA3046BZ拓展信息
Renesas
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