Renesas Electronics America Inc. HIP2100EIB
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HIP2100EIB
2038-HIP2100EIB
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
1最小包装量--
HIP2100EIB详情
Renesas Electronics America Inc. HIP2100EIB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
表面安装
YES
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
4V 7V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
9V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
12V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
HIP2100
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
10ns 10ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.045 µs
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
关断时间
0.045 µs
高压侧电压-最大值(自举)
114V
长度
4.89mm
座位高度(最大)
1.68mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HIP2100EIB拓展信息
Renesas
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