Renesas Electronics America Inc NP50N04YUK-E1-AY

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerLDFN

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

8-HSON (5x5.4)

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

1W (Ta), 97W (Tc)

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Manufacturer

Renesas Electronics

Brand

Renesas Electronics

RoHS

Details

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PLSN0008KA-A8

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

NP50N04YUK-E1-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.7

Part Package Code

HSON

Drain Current-Max (ID)

50 A

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

175°C

包装

切割胶带

子类别

MOSFETs

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F5

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

240 pF

产品类别

MOSFET

宽度

5 mm

高度

1.45 mm

长度

5.4 mm

达到SVHC

compliant