RENESAS ELECTRONICS CORP 2SJ361RYTR
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2SJ361RYTR
2038-2SJ361RYTR
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2SJ361RYTR详情
RENESAS ELECTRONICS CORP 2SJ361RYTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
1.5Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2SJ361RYTR拓展信息







哦! 它是空的。