RENESAS ELECTRONICS CORP 2SJ361RYTR-E

工厂交货时间

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表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

1.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准