RENESAS ELECTRONICS CORP 2SK2485

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

锡铅

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

2.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

900V

雪崩能量等级（Eas）

42.3 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100W