RENESAS ELECTRONICS CORP HD2F3P-T1

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5455

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极电流-最大值(IC)

1A

最小直流增益（hFE）

300

集电极-发射器电压-最大值

50V

环境耗散-最大值

2W