RENESAS ELECTRONICS CORP NNCD11C-T1

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Power Dissipation (Max)

0.15W

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

最大非代表峰值转速功率Dis

85W

击穿电压-最小值

10.4V

击穿电压-最大值

11.6V