RENESAS ELECTRONICS CORP NNCD5.6LG

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

5

Breakdown Voltage / V

5.6V

Number of Elements

4

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

0.2W

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

LOW CAPACITANCE

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PDSO-G5

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 4 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

最大非代表峰值转速功率Dis

2W

击穿电压-最小值

5.3V

击穿电压-最大值

6.3V

RoHS状态

符合RoHS标准