Renesas Electronics Corporation GA1A4M-T2-A
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GA1A4M-T2-A
2038-GA1A4M-T2-A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Description: GA1A4M-T2-A
1最小包装量--
GA1A4M-T2-A详情
Renesas Electronics Corporation GA1A4M-T2-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Date Of Intro
1999-01-29
Number of Elements
1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
compliant
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
35
GA1A4M-T2-A拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
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Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas







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