Renesas Electronics Corporation NNCD27DT-T1-AT
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NNCD27DT-T1-AT
2038-NNCD27DT-T1-AT
二极管 - 齐纳 - 单
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NNCD27DT-T1-AT
1最小包装量--
NNCD27DT-T1-AT详情
Renesas Electronics Corporation NNCD27DT-T1-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
SSP
Package Description
R-PDSO-G2
Manufacturer Package Code
PTSP0002ZB-A2
Breakdown Voltage-Nom
31 V
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
0.2 W
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
最大非代表峰值转速功率Dis
85 W
击穿电压-最小值
25 V
击穿电压-最大值
31 V
NNCD27DT-T1-AT拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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