FPD200详情
RFMD FPD200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
砷化镓
Package Description
UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Package Style
UNCASED CHIP
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
FPD200
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Qorvo
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
QORVO INC
Risk Rank
5.35
子类别
FET 射频小信号
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XUUC-N
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
Ku波段
环境耗散-最大值
0.5 W
FPD200拓展信息








哦! 它是空的。