FPD750SOT89ESR详情
RFMD FPD750SOT89ESR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
砷化镓
Manufacturer Part Number
FPD750SOT89ESR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RF MICRO DEVICES INC
Package Description
GREEN PACKAGE-3
Risk Rank
5.76
Moisture Sensitivity Levels
2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
5A991.G
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8541.21.00.40
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
高电子迁移率
环境耗散-最大值
1.8 W
FPD750SOT89ESR拓展信息
RF Micro Devices Inc
RF Micro Devices Inc
RFMD
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