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RF Micro Devices Inc R2005200P12
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R2005200P12
2049-R2005200P12
射频放大器
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大陆
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Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 200MHz Max, 1 Func, GAAS,
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R2005200P12详情
RF Micro Devices Inc R2005200P12重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
RF MICRO DEVICES INC
Package Description
SOT-115J
Operating Frequency (Max)
200 MHz
Operating Temperature-Max
100 °C
Operating Temperature-Min
-30 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOT-115J
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8542.33.00.01
功能数量
1
结构
MODULE
Reach合规守则
unknown
电源
12 V
增益
19.5 dB
射频/微波器件类型
宽带低功率
工作频率-最小值
5 MHz
特性阻抗
75 Ω
R2005200P12拓展信息
RFMD
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