Rochester Electronics 2N5550/D26Z
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2N5550/D26Z
2071-2N5550/D26Z
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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2N5550/D26Z详情
Rochester Electronics 2N5550/D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140 V
hFEMin
60
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
频率
300 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625 mW
增益带宽积
300 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
140 V
最大集电极电流
600 mA
转换频率
300 MHz
集电极基极电压(VCBO)
160 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
无铅
无铅
2N5550/D26Z拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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