Rochester Electronics 54F219DL
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54F219DL
2071-54F219DL
存储器连接器 - 配件
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64-Bit Random Access Memory with 3-STATE Outputs
1最小包装量--
54F219DL详情
Rochester Electronics 54F219DL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
16
Manufacturer Part Number
54F219DL
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Package Description
DIP,
Risk Rank
5.79
Access Time-Max
32 ns
Number of Words
16 words
Number of Words Code
16
Operating Temperature-Max
100 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T16
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
16X4
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
4
记忆密度
64 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
长度
19.43 mm
宽度
7.62 mm
54F219DL拓展信息
Rochester Electronics
Rochester Electronics
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