Rochester Electronics BCX56-16E6433
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BCX56-16E6433
2071-BCX56-16E6433
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
BCX56-16E6433详情
Rochester Electronics BCX56-16E6433重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
hFEMin
25
Voltage Rating (DC)
80 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2 W
额定电流
1 A
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
转换频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
无铅
BCX56-16E6433拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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