Rochester Electronics BCX56E6327
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BCX56E6327
2071-BCX56E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
1最小包装量--
BCX56E6327详情
Rochester Electronics BCX56E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
hFEMin
25
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
80 V
包装
Cut Tape (CT)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2 W
额定电流
1 A
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
转换频率
100 MHz
最大击穿电压
80 V
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
无铅
BCX56E6327拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
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