Rochester Electronics BF517E6327
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BF517E6327
2071-BF517E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
1最小包装量--
BF517E6327详情
Rochester Electronics BF517E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
Voltage Rating (DC)
15 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
280 mW
额定电流
25 mA
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
2.5 GHz
集电极发射器电压(VCEO)
15 V
最大集电极电流
25 mA
转换频率
2.5 GHz
最大击穿电压
15 V
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
2.5 V
连续集电极电流
25 mA
无铅
无铅
BF517E6327拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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