Rochester Electronics BSP50E6327
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BSP50E6327
2071-BSP50E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
BSP50E6327详情
Rochester Electronics BSP50E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Voltage Rating (DC)
45 V
RoHS
Compliant
hFEMin
1000
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.5 W
额定电流
1 A
极性
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
1 A
转换频率
200 MHz
最大击穿电压
45 V
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
无铅
BSP50E6327拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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