Rochester Electronics CD74ACT112E
- 收藏
- 对比
CD74ACT112E
2071-CD74ACT112E
无类别的
60-TFBGA
大陆
立即发货

- Bulk (Alt: CD74ACT112E)
1最小包装量--
CD74ACT112E详情
Rochester Electronics CD74ACT112E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
NO
供应商器件包装
60-FBGA (8x13)
终端数量
16
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Alliance Memory, Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
PLASTIC, DIP-16
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CD74ACT112E
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.15
Part Package Code
DIP
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.39.00.01
技术
SDRAM - DDR
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
2
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
16
JESD-30代码
R-PDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
1Gbit
比特数
2
时钟频率
166 MHz
访问时间
700 ps
家人
ACT
内存格式
DRAM
内存接口
SSTL_2
座位高度-最大
5.33 mm
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
输出极性
COMPLEMENTARY
逻辑IC类型
J-K FLIP-FLOP
触发器类型
NEGATIVE EDGE
传播延迟(tpd)
10.3 ns
fmax-Min
100 MHz
组织的记忆
64M x 16
宽度
7.62 mm
长度
19.17 mm
CD74ACT112E拓展信息







哦! 它是空的。