Rochester Electronics DS1258W-100IND
- 收藏
- 对比
DS1258W-100IND
2071-DS1258W-100IND
存储器
--
大陆
立即发货

SRAM Chip Nonvolatile 2Mbit 3.3V 128k x 16 100ns 40-Pin EDIP
1最小包装量--
DS1258W-100IND详情
Rochester Electronics DS1258W-100IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
16
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
性别
Female
触点样式
Pin
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
256 kB
访问时间
100 ns
数据总线宽度
16 b
DS1258W-100IND拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC







哦! 它是空的。