Rochester Electronics HM1-6508B-8

表面安装

NO

终端数量

16

Manufacturer Part Number

HM1-6508B-8

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

DIP, DIP16,.3

Risk Rank

5.57

Access Time-Max

180 ns

Number of Words

1024 words

Number of Words Code

1000

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

TTL COMPATIBLE INPUT/OUTPUT; ON CHIP ADDRESS REGISTER; LOW POWER STANDBY

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T16

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.008 mA

组织结构

1KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.000005 A

记忆密度

1024 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B (Modified)

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V