Rochester Electronics HM1-65162C-8

表面安装

NO

终端数量

24

Manufacturer Part Number

HM1-65162C-8

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

DIP, DIP24,.6

Risk Rank

7.81

Access Time-Max

90 ns

Number of Words

2048 words

Number of Words Code

2000

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

TTL兼容输入和输出

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0004 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V