Rochester Electronics HM4-65642B/883
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HM4-65642B/883
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HM4-65642B/883详情
Rochester Electronics HM4-65642B/883重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
RoHS
有
Package Description
QCCN, LCC32,.45X.55
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
8000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
LCC32,.45X.55
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
150 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HM4-65642B/883
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCN
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Harris Semiconductor
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
8.74
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CQCC-N32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.048 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000075 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
HM4-65642B/883拓展信息







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