Rochester Electronics IGP03N120H2
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IGP03N120H2
2071-IGP03N120H2
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Transistor IGBT Chip N-Channel 1200V 9.6A 3-Pin TO-220
1最小包装量--
IGP03N120H2详情
Rochester Electronics IGP03N120H2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
RoHS
Compliant
终端
通孔
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
62.5 W
元素配置
Single
功率耗散
62.5 W
无卤素
无卤素
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
9.6 A
达到SVHC
无SVHC
IGP03N120H2拓展信息
Rochester Electronics
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