IGP03N120H2
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Rochester Electronics IGP03N120H2

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型号

IGP03N120H2

utmel 编号

2071-IGP03N120H2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT Chip N-Channel 1200V 9.6A 3-Pin TO-220

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IGP03N120H2
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IGP03N120H2详情

Rochester Electronics IGP03N120H2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • RoHS

    Compliant

  • 终端

    通孔

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 最大功率耗散

    62.5 W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    62.5 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2 kV

  • 最大集电极电流

    9.6 A

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

IGP03N120H2拓展信息

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