Rochester Electronics IRG4PC50F-EPBF
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IRG4PC50F-EPBF
2071-IRG4PC50F-EPBF
晶体管 - IGBT - 单个
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
1最小包装量--
IRG4PC50F-EPBF详情
Rochester Electronics IRG4PC50F-EPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
240 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
200 W
元素配置
Single
功率耗散
200 W
接通延迟时间
31 ns
集电极发射器电压(VCEO)
1.6 V
最大集电极电流
70 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
宽度
5.3086 mm
高度
20.701 mm
长度
15.875 mm
辐射硬化
无
IRG4PC50F-EPBF拓展信息
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