Rochester Electronics IRGP35B60PD-EP
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IRGP35B60PD-EP
2071-IRGP35B60PD-EP
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
1最小包装量--
IRGP35B60PD-EP详情
Rochester Electronics IRGP35B60PD-EP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
RoHS
Non-Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
308 W
元素配置
Single
功率耗散
308 W
集电极发射器电压(VCEO)
2.55 V
最大集电极电流
60 A
反向恢复时间
42 ns
辐射硬化
无
无铅
无铅
IRGP35B60PD-EP拓展信息
Rochester Electronics
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