IRGR3B60KD2TRP
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Rochester Electronics IRGR3B60KD2TRP

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型号

IRGR3B60KD2TRP

utmel 编号

2071-IRGR3B60KD2TRP

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

N-Channel 600 V 4.2 A IGBT with Ultrafast Soft Recovery Diode - DPAK

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IRGR3B60KD2TRP Rochester Electronics N-Channel 600 V 4.2 A IGBT with Ultrafast Soft Recovery Diode - DPAK

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IRGR3B60KD2TRP详情

Rochester Electronics IRGR3B60KD2TRP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.9 V

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    52 W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    52 W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.4 V

  • 最大集电极电流

    7.8 A

  • 反向恢复时间

    77 ns

  • 最大击穿电压

    600 V

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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IRGR3B60KD2TRP拓展信息

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