Rochester Electronics IRGR3B60KD2TRRP
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IRGR3B60KD2TRRP
2071-IRGR3B60KD2TRRP
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R / IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
1最小包装量--
IRGR3B60KD2TRRP详情
Rochester Electronics IRGR3B60KD2TRRP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
52 W
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
2.4 V
最大集电极电流
7.8 A
反向恢复时间
77 ns
辐射硬化
无
IRGR3B60KD2TRRP拓展信息
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