Rochester Electronics M38510/23113BEA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

终端数量

16

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Package Description

DIP, DIP16,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

50 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

M38510/23113BEA

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.53

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8209

尺寸/尺寸

0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

XO (Standard)

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

TTL

电压 - 供电

1.8V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

频率

148.351648 MHz

频率稳定性

±25ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

16

JESD-30代码

R-XDIP-T16

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

扩频带宽

-

电源电流-最大值

0.075 mA

组织结构

1KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

记忆密度

1024 bit

筛选水平

MIL-M-38510 Class B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

绝对牵引范围 (APR)

-

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-