PBLS2002S,115
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Rochester Electronics PBLS2002S,115

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型号

PBLS2002S,115

utmel 编号

2071-PBLS2002S,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

HC-49/US

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, -20 V, 100 MHz, 700 mW, -3 A, 420

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PBLS2002S,115
PBLS2002S,115 Rochester Electronics Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, -20 V, 100 MHz, 700 mW, -3 A, 420

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PBLS2002S,115详情

Rochester Electronics PBLS2002S,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 1 week ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    HC-49/US

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20 V

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    -10°C ~ 70°C

  • 系列

    SXTHM2

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 尺寸/尺寸

    0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)

  • 类型

    兆赫晶体

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    1.5 W

  • 频率

    26 MHz

  • 频率稳定性

    ±30ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    30 Ohms

  • 极性

    NPN, PNP

  • 负载电容

    19pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 频率容差

    ±30ppm

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    150 mV

  • 最大集电极电流

    3 A

  • 转换频率

    100 MHz

  • 最大击穿电压

    20 V

  • 座位高度(最大)

    0.177 (4.50mm)

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PBLS2002S,115拓展信息

NSBC123JDXV6T5
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Rochester Electronics, LLC

NSBC114YPDXV6T1
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EMA6DXV5T1G
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NSBA114EDXV6T5G
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MUN5212DW1T1
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MUN5335DW1T2
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NSM21156DW6T1G
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NSBC144EPDXV6T5
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NSBC143EPDXV6T1
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NSM11156DW6T1G
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Rochester Electronics, LLC

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