Rochester Electronics PBLS2002S,115
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PBLS2002S,115
2071-PBLS2002S,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
HC-49/US
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, -20 V, 100 MHz, 700 mW, -3 A, 420
1最小包装量--
PBLS2002S,115详情
Rochester Electronics PBLS2002S,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
HC-49/US
底架
表面贴装
引脚数
8
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20 V
RoHS
Compliant
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXTHM2
包装
Digi-Reel®
尺寸/尺寸
0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)
类型
兆赫晶体
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.5 W
频率
26 MHz
频率稳定性
±30ppm
ESR(等效串联电阻)
30 Ohms
极性
NPN, PNP
负载电容
19pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±30ppm
集电极发射器电压(VCEO)
150 mV
最大集电极电流
3 A
转换频率
100 MHz
最大击穿电压
20 V
座位高度(最大)
0.177 (4.50mm)
辐射硬化
无
无铅
无铅
PBLS2002S,115拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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