Rochester Electronics R1LV0816ABG-5SI#B0
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存储器
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SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA Tray
1最小包装量--
R1LV0816ABG-5SI#B0详情
Rochester Electronics R1LV0816ABG-5SI#B0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
48
RoHS
Compliant
Memory Types
RAM, SRAM
Current - Supply (Nom)
30 mA
Number of Words
512000
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
电压 - 供电
3 V
频率
1 MHz
界面
Parallel
内存大小
1 MB
端口的数量
1
访问时间
55 ns
地址总线宽度
19 b
密度
8 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
16 b
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.4 V
长度
7.5 mm
高度
800 µm
宽度
8.5 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
R1LV0816ABG-5SI#B0拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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