Rochester Electronics SKW30N60HS
- 收藏
- 对比
SKW30N60HS
2071-SKW30N60HS
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(3 Tab) TO-247
1最小包装量--
SKW30N60HS详情
Rochester Electronics SKW30N60HS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
250 W
元素配置
Single
无卤素
不含卤素
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
41 A
反向恢复时间
125 ns
SKW30N60HS拓展信息
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics







哦! 它是空的。