Rochester Electronics, LLC 2N5307

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

40V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

额定电流

1.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.4V @ 200μA, 200mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅