Rochester Electronics, LLC 2N5655G
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2N5655G
2071-2N5655G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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POWER BIPOLAR NPN TRANSISTOR
1最小包装量--
2N5655G详情
Rochester Electronics, LLC 2N5655G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商器件包装
TO-225AA
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
20W
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 100mA 10mV
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
10V @ 100mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
250V
频率转换
10MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N5655G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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