Rochester Electronics, LLC 2N6515RLRMG
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2N6515RLRMG
2071-2N6515RLRMG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
2N6515RLRMG详情
Rochester Electronics, LLC 2N6515RLRMG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
锡银铜
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
45 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
250V
转换频率
40MHz
频率转换
200MHz
关断时间-最大值(toff)
3500ns
接通时间-最大值(ton)
200ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N6515RLRMG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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