Rochester Electronics, LLC 2SA1162GT1
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2SA1162GT1
2071-2SA1162GT1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
2SA1162GT1详情
Rochester Electronics, LLC 2SA1162GT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SC-59
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
200mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 6V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
80MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2SA1162GT1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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