Rochester Electronics, LLC 2SB1201T-E
- 收藏
- 对比
2SB1201T-E
2071-2SB1201T-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
2SB1201T-E详情
Rochester Electronics, LLC 2SB1201T-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
安装类型
通孔
供应商器件包装
TP
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
800mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
150MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2SB1201T-E拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC








哦! 它是空的。