Rochester Electronics, LLC 71V321S35J
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71V321S35J
2071-71V321S35J
存储器
52-LCC (J-Lead)
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2K X 8 DUAL-PORT SRAM
1最小包装量--
71V321S35J详情
Rochester Electronics, LLC 71V321S35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
52-LCC (J-Lead)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
52
端子表面处理
锡铅
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
52
JESD-30代码
S-PQCC-J52
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Kb 2K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
记忆密度
16384 bit
访问时间(最大)
35 ns
长度
19.1262mm
座位高度(最大)
4.572mm
宽度
19.1262mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
71V321S35J拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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Rochester Electronics
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