Rochester Electronics, LLC 71V632S6PFG
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71V632S6PFG
2071-71V632S6PFG
存储器
100-LQFP
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64K X 32 3.3V SYNCHRONOUS SRAM
1最小包装量--
71V632S6PFG详情
Rochester Electronics, LLC 71V632S6PFG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
端子表面处理
哑光锡
附加功能
ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY
电压 - 供电
3.135V~3.63V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
100
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.63V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
2Mb 64K x 32
时钟频率
83MHz
访问时间
6ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX32
内存宽度
32
记忆密度
2097152 bit
长度
20mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
14mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
71V632S6PFG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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Rochester Electronics
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