Rochester Electronics, LLC BC858C
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BC858C
2071-BC858C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1最小包装量--
BC858C详情
Rochester Electronics, LLC BC858C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
未说明
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
310mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
250MHz
频率转换
150MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BC858C拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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