Rochester Electronics, LLC BQ4011MA-200
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BQ4011MA-200
2071-BQ4011MA-200
存储器
28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
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NV SRAM MODULE, 32KX8, 200NS
1最小包装量--
BQ4011MA-200详情
Rochester Electronics, LLC BQ4011MA-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
表面安装
NO
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
28
端子表面处理
TIN
电压 - 供电
4.75V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
5V
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDMA-P28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
4.75V
内存大小
256Kb 32K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
200ns
记忆密度
262144 bit
访问时间(最大)
200 ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BQ4011MA-200拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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