ROCHESTER ELECTRONICS LLC BSO203P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

端子表面处理

哑光锡

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.021Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32.8A

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR