BTS115A
BTS115A

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Rochester Electronics, LLC BTS115A

  • 收藏
  • 对比

型号

BTS115A

utmel 编号

2071-BTS115A

商品类别

板垫片-支座

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BTS115A
BTS115A Rochester Electronics, LLC N-CHANNEL POWER MOSFET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BTS115A详情

Rochester Electronics, LLC BTS115A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 材料

    Brass

  • Number of Elements

    1

  • 系列

    Alliance Plastics, BTS

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 类型

    六角对峙

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 性别

    Male, Female

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

  • 镀层

    Nickel

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 螺纹/螺纹

    #6-32

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    15.5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.12Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    62A

  • 有螺纹/无螺纹

    Threaded

  • DS 击穿电压-最小值

    50V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 长度 - 整体

    0.750 19.05mm 3/4

  • 直径 - 外部

    0.250 (6.35mm) 1/4 Hex

  • 板高之间

    0.500 12.70mm 1/2

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

技术文档: Rochester Electronics, LLC BTS115A.

BTS115A拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS