Rochester Electronics, LLC CSD75211W1723
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CSD75211W1723
2071-CSD75211W1723
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
12-UFBGA, DSBGA
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P-CHANNEL POWER MOSFET
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CSD75211W1723详情
Rochester Electronics, LLC CSD75211W1723重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
12-UFBGA, DSBGA
供应商器件包装
12-DSBGA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1.5W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
40mOhm @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD75211W1723拓展信息
Rochester Electronics
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